Samsung prepara la tecnologia per i chip a 1 nm: debutto atteso nel 2030

Samsung prepara il prossimo salto nella produzione dei semiconduttori. L’azienda punta a introdurre la litografia “High-NA EUV” a partire dai processi intorno a 1 nanometro, con un possibile debutto nella produzione di massa attorno al 2030. La roadmap è stata illustrata da Park Chang-min, Master di Samsung Electronics, durante la conferenza NGL 2026 in Corea del Sud. Samsung utilizza già la litografia EUV nei processi avanzati sotto gli 8 nm, ma High-NA rappresenta la sua evoluzione. La differenza principale è nell’apertura numerica, che passando da 0,33 degli attuali sistemi EUV a 0,55 offre una maggiore capacità di concentrare la luce, permettendo di ottenere una risoluzione superiore e quindi di incidere strutture ancor più piccole sul wafer. Il vantaggio pratico riguarda soprattutto il numero dei passaggi necessari. Con gli attuali sistemi EUV, alcune strutture particolarmente raffinate richiedono più esposizioni e più fasi di patterning, di modellazione. High-NA può permettere di realizzarne alcune con un solo passaggio, riducendo complessità, costi e possibilità di errore. Samsung avrebbe voluto adottare High-NA già sui processi a 2 e 1,4 nm, ma la tecnologia necessita ancora di un ulteriore lavoro di sviluppo. L’azienda ritiene che diventerà necessaria dai processi A10, cioè intorno a 1 nm, e inferiori, e sta lavorando con diversi partner per applicarla alla produzione prima possibile. Il calendario attuale prevede la produzione del processo SF1.4 a 1,4 nm nel 2029, seguita nel 2030 da SF1.4+ e dalla generazione a 1 nm.

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